RU20120L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU20120L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 103 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 28 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 520 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20120L
RU20120L Datasheet (PDF)
ru20120l.pdf
RU20120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/120A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO252Applications Power Management DC-DC ConvertersN-
ru2013h.pdf
RU2013HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/13A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low On-Resistance Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin
ru20130l.pdf
RU20130LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/130A,RDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces
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