RU20120L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU20120L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20120L

RU20120L Datasheet (PDF)

..1. Size:299K ruichips
ru20120l.pdf

RU20120LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/120A, RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.2m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO252Applications Power Management DC-DC ConvertersN-

9.1. Size:282K ruichips
ru2013h.pdf

RU2013HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/13A,RDS (ON) =13m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =22m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Low On-Resistance Reliable and RuggedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC/DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratin

9.2. Size:295K ruichips
ru20130l.pdf

RU20130LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/130A,RDS (ON) =2.2m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =4.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications High Frequency Synchronous BuckConverters for Computer Proces

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Liste

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