RU206G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU206G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU206G
RU206G Datasheet (PDF)
ru206g.pdf
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RU206GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/6A,RDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =24m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power ManagementDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon Ratings (TA
ru206b.pdf
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RU206BN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/6A, RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=4.5VD RDS (ON) =26m(Typ.)@VGS=2.5V Low RDS (ON) Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green AvailableSSOT23Applications Load Switch PWM ApplicationsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Un
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