RU20T7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU20T7G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU20T7G
RU20T7G Datasheet (PDF)
ru20t7g.pdf
RU20T7GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/7A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications PWM ApplicationsDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit
ru20t8m7.pdf
RU20T8M7N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,G2S2 RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=4.5VS2 RDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=2.5VD1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1S1S1PIN1 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Availab
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Liste
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