RU20T7G Todos los transistores

 

RU20T7G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU20T7G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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RU20T7G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  ruichips
 ru20t7g.pdf pdf_icon

RU20T7G

RU20T7GN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 20V/7A,RDS (ON) =12m (Typ.) @ VGS=4.5VRDS (ON) =18m (Typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTSSOP-8 ESD Protected Lead Free and Green AvailableApplications PWM ApplicationsDual N-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit

 9.1. Size:328K  ruichips
 ru20t8m7.pdf pdf_icon

RU20T7G

RU20T8M7N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 20V/8A,G2S2 RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=4.5VS2 RDS (ON) =14m(Typ.)@VGS=4V RDS (ON) =16m(Typ.)@VGS=3.1V RDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=2.5VD1/D2 Super High Dense Cell Design Fast Switching Speed ESD Protected G1S1S1PIN1 100% avalanche testedPIN1 Lead Free and Green Devices Availab

Otros transistores... RU20D10H , RU20E60L , RU20E8H , RU20P18L , RU20P2B , RU20P3B , RU20P4C , RU20P5E , AON6380 , RU20T8M7 , RU2520H , RU2560L , RU2568L , RU2H30Q , RU2H30R , RU2H30S , RU2H50Q .

History: MSU1N60T | IPA037N08N3 | R6020FNJ

 

 
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