RU30E60M2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

RU30E60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU30E60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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RU30E60M2 datasheet

..1. Size:331K ruichips
ru30e60m2.pdf pdf_icon

RU30E60M2 N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =3m (Typ.)@VGS=10V D D D RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=4.5V D Super High Dense Cell Design Ulta Low On-Resistance ESD Protected(Rating 4KV HBM) Fast Switching Speed G S S S 100% avalanche tested PIN1 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) PIN1 PDFN33

9.1. Size:277K ruichips
ru30e7h.pdf pdf_icon

RU30E7H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/7.8A, RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

9.2. Size:323K ruichips
ru30e4b.pdf pdf_icon

RU30E4B N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/4A, RDS (ON) =30m (Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =55m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected(Rating 2KV HBM) Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S SOT23 D Applications Load Switch G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Rating

9.3. Size:293K ruichips
ru30e40l.pdf pdf_icon

RU30E40L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =10m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management. N-Channel MOSFET Absolute Maximum

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