RU30P4B Todos los transistores

 

RU30P4B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU30P4B
   Código: C*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 11 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU30P4B

 

RU30P4B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  ruichips
ru30p4b.pdf

RU30P4B
RU30P4B

RU30P4BP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =60m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell DesignG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23DApplications Load SwitchGSP-Channel MOSFE

 8.1. Size:338K  ruichips
ru30p4c.pdf

RU30P4B
RU30P4B

RU30P4CP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -25V/-4A, RDS (ON) =45m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =55m(Typ.)@VGS=-4.5V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-2.5V Low On-Resistance Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSOT23-3DApplications Load SwitchDC/DC Converter

 8.2. Size:340K  ruichips
ru30p4c6.pdf

RU30P4B
RU30P4B

RU30P4C6P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4A,S RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10V RDS (ON) =75m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)DDSOT23-6DApplications Load SwitchDC/DC ConverterGSP-Channel MOSFET

 8.3. Size:330K  ruichips
ru30p4h.pdf

RU30P4B
RU30P4B

RU30P4HP-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description -30V/-5A,D RDS (ON) =50m(Typ.)@VGS=-10VD RDS (ON) =80m(Typ.)@VGS=-4.5VD Low On-ResistanceD Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSpin1SSOP-8D D D D(8) (6)(7) (5)ApplicationsPower managementLoa

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


RU30P4B
  RU30P4B
  RU30P4B
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MRF5035 | MRF5015 | MRF5007R1 | MRF5007 | MRF5003 | MRF275G | MRF184S | MRF184 | MRF177M | MRF177 | MRF176GV | MRF176GU | MRF175LV | MRF175LU | MRF175GV | MRF175GU

 

 

 
Back to Top