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RU3568R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU3568R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3568R

 

RU3568R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ruichips
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RU3568RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/68A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol

 8.1. Size:329K  ruichips
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RU3568LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS

 9.1. Size:298K  ruichips
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RU3560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/50A,RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Low Voltage Inverter ApplicationsN-Channel MOSFET

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

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