RU3568R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3568R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3568R
RU3568R Datasheet (PDF)
ru3568r.pdf
RU3568RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/68A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol
ru3568l.pdf
RU3568LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/60A, RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V D RDS (ON) =10m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications DC/DC ConvertersGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsS
ru3560l.pdf
RU3560LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/50A,RDS (ON) =13m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =18m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Low Voltage Inverter ApplicationsN-Channel MOSFET
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History: NTD4805N
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Liste
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