RU40220R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU40220R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 154 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40220R

RU40220R Datasheet (PDF)

..1. Size:302K ruichips
ru40220r.pdf

RU40220RN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/220ARDS (ON)=2.3 m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTO-220ApplicationsAutomotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingAbsolute Maximum Ratings N-Channel

9.1. Size:301K ruichips
ru40280r.pdf

RU40280RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/280A,RDS (ON) =1.8m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maxim

9.2. Size:307K ruichips
ru40231r.pdf

RU40231RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/230A,RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

9.3. Size:298K ruichips
ru40231q2.pdf

RU40231Q2N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 40V/230A,RDS (ON) =2.3m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =3.5m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-3P(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching Applications

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Liste

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