RU40L10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40L10L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU40L10L
RU40L10L Datasheet (PDF)
ru40l10l.pdf
RU40L10LP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-32A,RDS (ON) =20m(Typ.)@VGS=-10VRDS (ON) =30m(Typ.)@VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power Supplies InverterP-Channel MOSFET
ru40l10l.pdf
RU40L10Lwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unl
ru40l10h.pdf
RU40L10HP-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description -40V/-9.5A,RDS (ON) =19m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications DC-DC Converter.P-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating Unit
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