RU6075R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU6075R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6075R

RU6075R Datasheet (PDF)

..1. Size:305K ruichips
ru6075r.pdf

RU6075RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/90A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power SuppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon

9.1. Size:294K ruichips
ru6070l.pdf

RU6070LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/70A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

9.2. Size:1286K ruichips
ru6070l-a.pdf

RU6070L-AN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/70A,D RDS (ON) =6.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Power Management. Switch Applications.G Load switchSN-Channel MOSFETAbsolut

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Liste

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