RU6075R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU6075R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RU6075R datasheet

 ..1. Size:305K  ruichips
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RU6075R

RU6075R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/90A, RDS (ON) =5.5m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Supplies N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit Common

 9.1. Size:294K  ruichips
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RU6075R

RU6070L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 60V/70A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rat

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RU6075R

RU6070L-A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 60V/70A, D RDS (ON) =6.8m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Management. Switch Applications. G Load switch S N-Channel MOSFET Absolut

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