RU6199R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6199R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 155 nC
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU6199R
RU6199R Datasheet (PDF)
ru6199r.pdf
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RU6199QN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200ARDS (ON)=2.8 m (Typ.) @ VGS=10VAvalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableApplicationsTO-247Automotive applications and a widevariety of other applicationsHigh Efficiency Synchronous in SMPSHigh Speed Power SwitchingN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
ru6199s.pdf
RU6199SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/200A,D RDS (ON) =2.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedGS Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)TO263DApplications DC-DC Converters and Off-line UPS Switching ApplicationsGSN-Channel MOSFETAbsolu
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