RU7080L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU7080L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Encapsulados: TO-252
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RU7080L datasheet
ru7080l.pdf
RU7080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 70V/80A, D RDS (ON) =5.7m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G S TO252 D Applications Power Supply G S N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C
ru7080r.pdf
RU7080R N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/80A, RDS (ON) =7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested TO-220 175 C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliant Applications Switching Application Systems N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Unit C
ru7088a.pdf
RU7088A N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 65V/88A, RDS (ON) =6m (Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-220 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications The device is suitable for use in PWM ,load switching and general purpose applications. N-Channel
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History: QM3004SM3
🌐 : EN ES РУ
Liste
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