RU7080L Todos los transistores

 

RU7080L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU7080L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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RU7080L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  ruichips
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RU7080L

RU7080LN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,D RDS (ON) =5.7m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Power SupplyGSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitC

 8.1. Size:1227K  ruichips
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RU7080L

RU7080SN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,D RDS (ON) =7m(Typ.)@VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO263DApplications Motor Drives Uninterruptible Power SuppliesG DC/DC converter

 8.2. Size:634K  ruichips
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RU7080L

RU7080RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/80A,RDS (ON) =7m (Typ.) @ VGS=10V Ultra Low On-Resistance Fast Switching 100% avalanche testedTO-220 175C Operating Temperature Lead Free,RoHS compliantApplications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitC

 9.1. Size:306K  ruichips
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RU7080L

RU7088AN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 65V/88A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications The device is suitable for use inPWM ,load switching and generalpurpose applications.N-Channel

Otros transistores... RU6H7R , RU6H9P , RU6H9R , RU6Z5R , RU6Z8R , RU70100R , RU70190R , RU70200R , AO3400 , RU7085R , RU7088A , RU70E15L , RU70E4D , RU70E4H , RU75110R , RU75110S , RU75150R .

History: STB9NK70ZT4 | AP10N70S | FRK160D | FDT86113LZ | 2SK4085LS

 

 
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