RU70E4D Todos los transistores

 

RU70E4D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU70E4D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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RU70E4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ruichips
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RU70E4D

RU70E4DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 8.1. Size:277K  ruichips
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RU70E4D

RU70E4HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.1. Size:290K  ruichips
 ru70e15l.pdf pdf_icon

RU70E4D

RU70E15LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/15A,RDS (ON) =90m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

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History: PHP2N60E | FDY300NZ | PSMN016-100YS | CS840FA9D | IRFI9Z24N

 

 
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