RU70E4D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU70E4D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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RU70E4D datasheet

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RU70E4D

RU70E4D N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/4A, RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and Rugged SOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green Available Applications Power Management DC-DC Converter N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter R

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RU70E4D

RU70E4H N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/4A, RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10V RDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD Protected SOP-8 Lead Free and Green Available Applications Power Management Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rat

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RU70E4D

RU70E15L N-Channel Advanced Power MOSFET MOSFET Features Pin Description 70V/15A, RDS (ON) =90m (Typ.)@VGS=10V RDS (ON) =100m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and Rugged TO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications Power Management N-Channel MOSFET Absolute Maximu

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