RU70E4D Todos los transistores

 

RU70E4D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU70E4D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 16 nC
   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 44 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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RU70E4D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ruichips
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RU70E4DN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V ESD Protected Reliable and RuggedSOT-223 Ultra Low On-Resistance Lead Free and Green AvailableApplications Power Management DC-DC ConverterN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter R

 8.1. Size:277K  ruichips
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RU70E4HN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/4A,RDS (ON) =80m (Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =90m (Typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged ESD ProtectedSOP-8 Lead Free and Green AvailableApplications Power Management ConvertersN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat

 9.1. Size:290K  ruichips
ru70e15l.pdf

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RU70E15LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 70V/15A,RDS (ON) =90m(Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =100m(Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design ESD protected Reliable and RuggedTO252 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power ManagementN-Channel MOSFETAbsolute Maximu

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