RU75110S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RU75110S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU75110S

RU75110S Datasheet (PDF)

..1. Size:295K ruichips
ru75110s.pdf

RU75110SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/110A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices AvailableTO-263(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter

7.1. Size:304K ruichips
ru75110r.pdf

RU75110RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/110A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter

9.1. Size:302K ruichips
ru75150r.pdf

RU75150RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/148A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application Systems UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolPara

9.2. Size:329K ruichips
ru75170s.pdf

RU75170S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 75V/150A, RDS (ON) =5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available TO-263 (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters and Off-line UPS High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: