RU7550R Todos los transistores

 

RU7550R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU7550R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RU7550R Datasheet (PDF)

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RU7550R

RU7550RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

 8.1. Size:287K  ruichips
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RU7550R

RU7550SN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/55A,RDS (ON) =11m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-263Applications DC-DC Converters and Off-line UPS Automotive Load Control Electronic Power Steering SystemN-Channel MOSFET Elec

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