IRFS9233 Todos los transistores

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IRFS9233 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS9233

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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IRFS9233 Datasheet (PDF)

4.1. irfs91xx irfs92xx.pdf Size:13K _samsung

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5.1. irfs9n60a.pdf Size:270K _international_rectifier

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PD - 95538 SMPS MOSFET IRFS9N60APbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Switch Mode Power Supply ( SMPS ) l Uninterruptable Power Supply 600V 0.75? 9.2A l High Speed Power Switching l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and dynamic dv/dt Ruggedness G D S l Fully Characterized Capacitance and D2P

5.2. irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf Size:26K _samsung

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