RUF025N02TL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUF025N02TL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054 Ohm

Encapsulados: TUMT3

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RUF025N02TL datasheet

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RUF025N02TL

RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XE Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit Packa

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RUF025N02TL

RUF025N02 Transistors 1.5V Drive Nch MOSFET RUF025N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XE Applications (3) Drain Switching Packaging specifications Inner circuit Packa

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RUF025N02TL

1.5V Drive Nch MOSFET RUF020N02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount Package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.5V drive). (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XK (3) Drain Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications 2 (1) Package Taping

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