RUM002N02T2L Todos los transistores

 

RUM002N02T2L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUM002N02T2L
   Código: QR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT3
     - Selección de transistores por parámetros

 

RUM002N02T2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  ruichips
 rum002n02t2l.pdf pdf_icon

RUM002N02T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 5.1. Size:214K  rohm
 rum002n02.pdf pdf_icon

RUM002N02T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel VMT3MOSFET Applications Switching (1)Gate Features (2)Souce(3)DrainAbbreviated symbol : QR1) Fast switching speed. 2) Low voltage drive (1.2V) makes this device ideal for portable equipment. 3) Drive circuits can be simple. Inner circuit (3) Packaging specifications Pac

 6.1. Size:172K  rohm
 rum002n05.pdf pdf_icon

RUM002N02T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

 6.2. Size:170K  ruichips
 rum002n05t2l.pdf pdf_icon

RUM002N02T2L

1.2V Drive Nch MOSFET RUM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 80001RUM002

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History: AP9926GO | BUK961R4-30E | UK3018G-AL3-R | A03415 | SVT044R5ND

 

 
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