PHB152NQ03LTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB152NQ03LTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1040 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB152NQ03LTA
PHB152NQ03LTA Datasheet (PDF)
phb152nq03lta php152nq03lta.pdf
PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi
php152nq03lta phb152nq03lta.pdf
PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi
phb153nq08lt.pdf
PHP/PHB153NQ08LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 31 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptable power supplies
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Liste
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