PHB153NQ08LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB153NQ08LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 144 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHB153NQ08LT
PHB153NQ08LT Datasheet (PDF)
phb153nq08lt.pdf
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phb152nq03lta php152nq03lta.pdf
PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi
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PHP/B152NQ03LTAN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 05 March 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Low on-state resistance Low gate charge Low thermal resistance.1.3 Applications DC-to-DC converters Swi
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Liste
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