2SJ152 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ152
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Encapsulados: TO220F
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2SJ152 datasheet
2sj156.pdf
INCHANGE Semiconductor isc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156 DESCRIPTION Low Drain-Source ON Resisitance High Forward Transfer Admittance Low Leakage Current Enhancement-Mode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High speed switching application Switching regulator ,DC-DC converter and Motor drive application
Otros transistores... 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , 2SJ140 , 2SJ141 , 2SJ142 , 2SJ143 , 2SJ151 , IRFB4115 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 , 2SJ179 , 2SJ180 , 2SJ184 , 2SJ185 , 2SJ196 .
History: KRF7317 | KRF7319
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
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