2SJ152 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ152
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
2SJ152 Datasheet (PDF)
2sj156.pdf

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor 2SJ156DESCRIPTIONLow Drain-Source ON ResisitanceHigh Forward Transfer AdmittanceLow Leakage CurrentEnhancement-ModeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.APPLICATIONSHigh speed switching applicationSwitching regulator ,DC-DC converter and Motordrive application
Otros transistores... 2SJ137 , 2SJ138 , 2SJ139 , 2SJ140 , 2SJ141 , 2SJ142 , 2SJ143 , 2SJ151 , IRF9540 , 2SJ165 , 2SJ166 , 2SJ178 , 2SJ179 , 2SJ180 , 2SJ184 , 2SJ185 , 2SJ196 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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