PHD78NQ03LT Todos los transistores

 

PHD78NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHD78NQ03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Tiempo de elevación (tr): 46 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 415 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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PHD78NQ03LT Datasheet (PDF)

1.1. phd78nq03lt.pdf Size:194K _philips2

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PHD78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 06 — 11 June 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

1.2. phu78nq03lt phd78nq03lt.pdf Size:96K _philips2

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PHU/PHD78NQ03LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 27 July 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Fast switching 1.3 Applications Computer motherboards DC-to-DC converters 1.4 Quick reference dat

 

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