PHP160NQ08T Todos los transistores

 

PHP160NQ08T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP160NQ08T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 845 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP160NQ08T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
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PHP160NQ08T

PHP/PHB160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 28 January 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptable power supplies

 ..2. Size:168K  philips
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PHP160NQ08T

PHP160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

 9.1. Size:182K  philips
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PHP160NQ08T

PHP165NQ08TN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 02 27 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low recovered charge Low on-state resistance1.3 Applications AC-to-D

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