PHP165NQ08T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP165NQ08T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP165NQ08T

PHP165NQ08T Datasheet (PDF)

..1. Size:182K philips
php165nq08t.pdf

PHP165NQ08TN-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETRev. 02 27 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features and benefits Fast switching Low recovered charge Low on-state resistance1.3 Applications AC-to-D

9.1. Size:89K philips
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PHP/PHB160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 28 January 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptable power supplies

9.2. Size:168K philips
php160nq08t.pdf

PHP160NQ08TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Fea

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Liste

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