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PHP174NQ04LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP174NQ04LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 118 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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PHP174NQ04LT Datasheet (PDF)

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PHP/PHB174NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 ..2. Size:94K  philips
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PHP174NQ04LT

PHP/PHB174NQ04LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 12 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionLogic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

 9.1. Size:88K  philips
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PHP/PHB176NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 10 May 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance.1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

 9.2. Size:181K  philips
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PHP176NQ04TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 6 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feat

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History: VN1206N5 | IPI200N25N3 | IRFP448 | IRF7506 | AUIRLR2905ZTR

 

 
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