PHP174NQ04LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP174NQ04LT 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 118 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 945 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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PHP174NQ04LT datasheet
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PHP/PHB174NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 12 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC
phb174nq04lt php174nq04lt.pdf
PHP/PHB174NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 12 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC
php176nq04t phb176nq04t.pdf
PHP/PHB176NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 10 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC
php176nq04t.pdf
PHP176NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 6 March 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Feat
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: APT7F100B | APT8024JLL
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