PHP222NQ04LT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP222NQ04LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 268 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0028 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PHP222NQ04LT datasheet

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PHP/PHB222NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 13 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description Logic level N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC

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PHP222NQ04LT

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D315 PHP222 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor Preliminary specification 1998 Apr 01 Supersedes data of 1998 Mar 24 File under Discrete Semiconductors, SC13 Philips Semiconductors Preliminary specification Dual P-channel enhancement PHP222 mode MOS transistor FEATURES PINNING - SOT96-1 (SO8) Very low on-state resistance PIN SY

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PHP222NQ04LT

PHP/PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 12 May 2004 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Standard level threshold Very low on-state resistance. 1.3 Applications Motors, lamps, solenoids Uninterruptible power supplies DC-to-DC

 9.2. Size:98K  philips
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