PHP71NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP71NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0152 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

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PHP71NQ03LT Datasheet (PDF)

..1. Size:265K philips
php71nq03lt php71nq03lt phb71nq03lt phd71nq03lt.pdf

PHP/PHB/PHD71NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 25 June 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB71NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gat

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: