PHP71NQ03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP71NQ03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 75 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Tiempo de subida (tr): 150 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0152 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP71NQ03LT

PHP71NQ03LT Datasheet (PDF)

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php71nq03lt php71nq03lt phb71nq03lt phd71nq03lt.pdf

PHP/PHB/PHD71NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 01 25 June 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP71NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB71NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD71NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatible Low gat

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Liste

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