PHX23NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHX23NQ10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 139 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHX23NQ10T
PHX23NQ10T Datasheet (PDF)
phx23nq10t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switchingID = 13 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using trench techno
phx23nq10t.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHX23NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switchingID = 13 AgRDS(ON) 70 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic full pack envelope using trench techno
phx23nq11t.pdf
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Liste
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