PJD6NA40 Todos los transistores

 

PJD6NA40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJD6NA40

Código: D6NA40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 77 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 400 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 78 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.95 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJD6NA40

 

PJD6NA40 Datasheet (PDF)

1.1. pjd6na40 pjf6na40 pjp6na40 pju6na40.pdf Size:458K _panjit

PJD6NA40
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PPJU6NA40 / PJD6NA40 / PJP6NA40 / PJF6NA40 400V N-Channel MOSFET 400 V 6 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3A<0.95 Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive. TO-252AA TO-251AA  Green molding co

4.1. pjd6na70 pjf6na70 pjp6na70 pju6na70.pdf Size:432K _panjit

PJD6NA40
PJD6NA40

PPJU6NA70 / PJD6NA70 / PJP6NA70 / PJF6NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 6 A Voltage Current Features  RDS(ON), VGS@10V,ID@3A<1.7Ω ITO-220AB-F TO-220AB  High switching speed  Improved dv/dt capability  Low Gate Charge  Low reverse transfer capacitance  Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive TO-252AA TO-251AA  Green molding compo

 

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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