PJD7NA60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJD7NA60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252AA
Búsqueda de reemplazo de PJD7NA60 MOSFET
PJD7NA60 Datasheet (PDF)
pjd7na60 pjf7na60 pjp7na60 pju7na60.pdf
PPJU7NA60 / PJD7NA60 / PJP7NA60 / PJF7NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
pjd7na65 pjf7na65 pjp7na65 pju7na65.pdf
PPJU7NA65 / PJD7NA65 / PJP7NA65 / PJF7NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 7 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@3.5A
Otros transistores... PJD4NA60 , PJD4NA65 , PJD4NA70 , PJD4NA90 , PJD5NA50 , PJD5NA80 , PJD6NA40 , PJD6NA70 , IRF740 , PJD7NA65 , PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 .
History: STP26NM60N | HM3800D
History: STP26NM60N | HM3800D
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