PJF3NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJF3NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO-220AB-F
Búsqueda de reemplazo de PJF3NA80 MOSFET
PJF3NA80 Datasheet (PDF)
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
Otros transistores... PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , IRFB4110 , PJF4NA60 , PJF4NA65 , PJF4NA70 , PJF4NA90 , PJF5NA50 , PJF5NA80 , PJF6NA40 , PJF6NA70 .
History: AO4616 | RD3G400GN | HM3N80 | HMS21N60F | AUIRFZ24NS | SFB070N150C3 | HMS21N65
History: AO4616 | RD3G400GN | HM3N80 | HMS21N60F | AUIRFZ24NS | SFB070N150C3 | HMS21N65
Liste
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