PJF3NA80 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJF3NA80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: ITO-220AB-F

 Búsqueda de reemplazo de PJF3NA80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PJF3NA80 datasheet

 ..1. Size:458K  panjit
 pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf pdf_icon

PJF3NA80

PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A

Otros transistores... PJD8NA50, PJF10NA60, PJF10NA65, PJF10NA80, PJF12NA60, PJF13NA50, PJF2NA60, PJF2NA70, IRLZ44N, PJF4NA60, PJF4NA65, PJF4NA70, PJF4NA90, PJF5NA50, PJF5NA80, PJF6NA40, PJF6NA70