PJF3NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJF3NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO-220AB-F
Búsqueda de reemplazo de PJF3NA80 MOSFET
PJF3NA80 Datasheet (PDF)
pjd3na80 pjf3na80 pjp3na80 pju3na80.pdf
PPJU3NA80 / PJD3NA80 / PJP3NA80 / PJF3NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 3 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@1.5A
Otros transistores... PJD8NA50 , PJF10NA60 , PJF10NA65 , PJF10NA80 , PJF12NA60 , PJF13NA50 , PJF2NA60 , PJF2NA70 , IRLZ44N , PJF4NA60 , PJF4NA65 , PJF4NA70 , PJF4NA90 , PJF5NA50 , PJF5NA80 , PJF6NA40 , PJF6NA70 .
History: 2SK1757 | SFI9634 | SFI9630 | SFF75N06Z | 2SK1980 | RU30P4H | PJF2NA70
History: 2SK1757 | SFI9634 | SFI9630 | SFF75N06Z | 2SK1980 | RU30P4H | PJF2NA70
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166