PJF4NA70 Todos los transistores

 

PJF4NA70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJF4NA70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-220AB-F
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJF4NA70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:435K  panjit
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PJF4NA70

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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PJF4NA70

PPJF4NA65A 650V N-Channel MOSFET Voltage 650 V Current 4 A Features R , VDS(ON) GS@10V,ID@2A

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 pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf pdf_icon

PJF4NA70

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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 pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf pdf_icon

PJF4NA70

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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