PJF4NA70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJF4NA70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: ITO-220AB-F
Búsqueda de reemplazo de PJF4NA70 MOSFET
PJF4NA70 Datasheet (PDF)
pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf
PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjf4na65a.pdf
PPJF4NA65A 650V N-Channel MOSFET Voltage 650 V Current 4 A Features R , VDS(ON) GS@10V,ID@2A
pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf
PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf
PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
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History: IPL65R660E6
History: IPL65R660E6
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