PJP4NA65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJP4NA65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PJP4NA65 MOSFET
PJP4NA65 Datasheet (PDF)
pjd4na65 pjf4na65 pjp4na65 pju4na65.pdf

PPJU4NA65 / PJD4NA65 / PJP4NA65 / PJF4NA65 650V N-Channel MOSFET 650 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na60 pjf4na60 pjp4na60 pju4na60.pdf

PPJU4NA60 / PJD4NA60 / PJP4NA60 / PJF4NA60 600V N-Channel MOSFET 600 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na70 pjf4na70 pjp4na70 pju4na70.pdf

PPJU4NA70 / PJD4NA70 / PJP4NA70 / PJF4NA70 700V N-Channel MOSFET 700 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
pjd4na90 pjf4na90 pjp4na90 pju4na90.pdf

PPJU4NA90 / PJD4NA90 / PJP4NA90 / PJF4NA90 900V N-Channel MOSFET 900 V 4 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2A
Otros transistores... PJP10NA80 , PJP12NA60 , PJP13NA50 , PJP1NA80 , PJP2NA60 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 , AON7410 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , PJP5NA80 , PJP6NA40 , PJP6NA70 , PJP6NA90 , PJP7NA60 .
History: IPD031N03LG
History: IPD031N03LG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606