PJP5NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJP5NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 146 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PJP5NA80 MOSFET
PJP5NA80 Datasheet (PDF)
pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf
PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A
pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf
PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A
Otros transistores... PJP2NA60 , PJP2NA70 , PJP3NA80 , PJP4NA60 , PJP4NA65 , PJP4NA70 , PJP4NA90 , PJP5NA50 , RFP50N06 , PJP6NA40 , PJP6NA70 , PJP6NA90 , PJP7NA60 , PJP7NA65 , PJP7NA80 , PJP8NA50 , PJP9NA90 .
History: NCEP1250AK | WMM190N03TS | IPP083N10N5
History: NCEP1250AK | WMM190N03TS | IPP083N10N5
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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