PJU5NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJU5NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251AA
Búsqueda de reemplazo de PJU5NA80 MOSFET
PJU5NA80 Datasheet (PDF)
pjd5na80 pjf5na80 pjp5na80 pju5na80.pdf
PPJU5NA80 / PJD5NA80 / PJP5NA80 / PJF5NA80 800V N-Channel MOSFET 800 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@ 2.5A
pjd5na50 pjf5na50 pjp5na50 pju5na50.pdf
PPJU5NA50 / PJD5NA50 / PJP5NA50 / PJF5NA50 500V N-Channel MOSFET 500 V 5 A Voltage Current Features RDS(ON), VGS@10V,ID@2.5A
Otros transistores... PJU2NA70 , PJU3NA50 , PJU3NA80 , PJU4NA60 , PJU4NA65 , PJU4NA70 , PJU4NA90 , PJU5NA50 , 7N60 , PJU6NA40 , PJU6NA70 , PJU7NA60 , PJU7NA65 , PJU8NA50 , SFF054M , SFF054Z , SFF100N20 .
History: CS55N25A8R-G | NCEP12T18 | STP13NK60Z | FQPF5N30 | CS10N65K | IPP60R099P6 | IPU050N03LG
History: CS55N25A8R-G | NCEP12T18 | STP13NK60Z | FQPF5N30 | CS10N65K | IPP60R099P6 | IPU050N03LG
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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