SFF116N10Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF116N10Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 250 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254Z
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF116N10Z
SFF116N10Z Datasheet (PDF)
sff116n10m sff116n10z.pdf
SFF116N10M Solid State Devices, Inc. SFF116N10Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 116 AMP , 100 Volts, 15 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF116N10 ___ ___ ____ Screening 2/ MOSFET __ = Not Scre
sff110s.pdf
SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNERS DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features: Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop
sff11n80m sff11n80z.pdf
SFF11N80 Series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 11 AMP / 800 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.95 SFF11N80 __ __ __ N-Channel MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level
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Liste
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