SFF116N10Z Todos los transistores

 

SFF116N10Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF116N10Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-254Z
 

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SFF116N10Z Datasheet (PDF)

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SFF116N10Z

SFF116N10M Solid State Devices, Inc. SFF116N10Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 116 AMP , 100 Volts, 15 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF116N10 ___ ___ ____ Screening 2/ MOSFET __ = Not Scre

 9.1. Size:31K  ssdi
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SFF116N10Z

SFF110S.22 Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 3.5 A /100 Volts / 0.6 DESIGNERS DATA SHEET N-Channel MOSFET Transistor Features: Rugged Construction with Polysilcon Gate Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with Excellent Thermal Prop

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SFF116N10Z

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SFF116N10Z

SFF11N80 Series Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 11 AMP / 800 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.95 SFF11N80 __ __ __ N-Channel MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

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