SFF1310Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF1310Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Tiempo de subida (tr): 38 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm

Paquete / Cubierta: TO-3

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SFF1310Z Datasheet (PDF)

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PRELIMINARYSFF1310MSFF1310ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177340 AMPS200 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.050 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Rugged construction with polysilicon gate Low RDS (on) and high transconductanceTO-3 Excellent high temperature stability Very fast switchi

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SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level

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