SFF1310Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF1310Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF1310Z
SFF1310Z Datasheet (PDF)
sff1310m sff1310z.pdf
PRELIMINARYSFF1310MSFF1310ZSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Av. * La Mirada, Ca 90670Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-177340 AMPS200 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.050 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Rugged construction with polysilicon gate Low RDS (on) and high transconductanceTO-3 Excellent high temperature stability Very fast switchi
sff130.pdf
SFF130/3 & SFF130/66 Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 14 AMP / 100 Volts Part Number / Ordering Information 1/ 0.18 SFF130 __ __ N-Channel Power MOSFET Screening 2/ __ = Not Screen TX = TX Level
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918