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2SJ166 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ166

Código: H11

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 22 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC59

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2SJ166 Datasheet (PDF)

1.1. 2sj166.pdf Size:350K _nec

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1.2. 2sj166.pdf Size:1307K _kexin

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SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ166 SOT-23 Unit: mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) =-50V ● ID =-0.1 A (VGS =-10V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 ● RDS(ON) < 50Ω (VGS =-4V) +0.1 1.9-0.1 ● Comp;ementary to 2SK1132 1. Gate 2. Source 3. Drain ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage

 1.3. 2sj166-3.pdf Size:1317K _kexin

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SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ166 SOT-23-3 Unit: mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 ■ Features ● VDS (V) =-50V ● ID =-0.1 A (VGS =-10V) 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 ● RDS(ON) < 50Ω (VGS =-4V) +0.1 1.9-0.2 ● Comp;ementary to 2SK1132 1. Gate 2. Source 3. Drain ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source V

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