SFF150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF150
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-61
Búsqueda de reemplazo de SFF150 MOSFET
SFF150 Datasheet (PDF)
sff15n80.pdf

SFF15N80/3SOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com15 AMPS800 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.60 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Low RDS (on) and High Transconductance Excellent High Temperature StabilityTO-3 Fast Switching Speed Intrinsic Rectifi
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History: IPW65R019C7 | IPW60R230P6 | CJ1012 | FXN18N50F | FQPF12P20XDTU | FXN9N50F | FDFM2P110
History: IPW65R019C7 | IPW60R230P6 | CJ1012 | FXN18N50F | FQPF12P20XDTU | FXN9N50F | FDFM2P110



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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