SFF150C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF150C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254C
- Selección de transistores por parámetros
SFF150C Datasheet (PDF)
sff15n80.pdf

SFF15N80/3SOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com15 AMPS800 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEET0.60 N-CHANNELFEATURES:POWER MOSFET Low RDS (on) and High Transconductance Excellent High Temperature StabilityTO-3 Fast Switching Speed Intrinsic Rectifi
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History: BSC046N10NS3G | 2SK2122 | AP18N20AGS-HF | FHD120N03C
History: BSC046N10NS3G | 2SK2122 | AP18N20AGS-HF | FHD120N03C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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