SFF23N60Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF23N60Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: TO-254Z

 Búsqueda de reemplazo de SFF23N60Z MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFF23N60Z datasheet

 ..1. Size:164K  ssdi
 sff23n60m sff23n60z.pdf pdf_icon

SFF23N60Z

SFF23N60M Solid State Devices, Inc. SFF23N60Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 15 AMP, 600 Volts, 320 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features Advanced low gate charge process Lowest ON-resistance in the industry Av

 6.1. Size:127K  ssdi
 sff23n60s1 sff23n60s2.pdf pdf_icon

SFF23N60Z

SFF23N60S1 Solid State Devices, Inc. SFF23N60S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-4474 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNER S DATA SHEET 21 AMP, 600 Volts, 320 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

 9.1. Size:163K  ssdi
 sff230g.pdf pdf_icon

SFF23N60Z

 9.2. Size:178K  ssdi
 sff230-28.pdf pdf_icon

SFF23N60Z

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SFF230-28, SFF230G, SFF230J, SFF230M, SFF230Z, SFF23N60M, SFF23N60S1, SFF23N60S2, 7N65, SFF240, SFF240-28, SFF240J, SFF240JR, SFF240M, SFF240Z, SFF24N50, SFF24N50B