SFF44N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF44N50M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de SFF44N50M MOSFET
SFF44N50M Datasheet (PDF)
sff44n50m sff44n50z.pdf

SFF44N50M Solid State Devices, Inc. SFF44N50Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 25 AMP , 500 Volts, 110 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated
sff44n50s1 sff44n50s2.pdf

SFF44N50S1 Solid State Devices, Inc. SFF44N50S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 35 AMP, 500 Volts, 110 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated
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History: AON7423 | FQU4N25TU | MCAC50N06Y-TP | IRF7842TR
History: AON7423 | FQU4N25TU | MCAC50N06Y-TP | IRF7842TR



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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