SFF44N50S2 Todos los transistores

 

SFF44N50S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF44N50S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD1-2
 

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SFF44N50S2 Datasheet (PDF)

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SFF44N50S2

SFF44N50S1 Solid State Devices, Inc. SFF44N50S2 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 35 AMP, 500 Volts, 110 m SMD1, 2 Avalanche Rated N-channel MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

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SFF44N50S2

SFF44N50M Solid State Devices, Inc. SFF44N50Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 25 AMP , 500 Volts, 110 m Avalanche Rated N-channel TO-254 TO-254Z MOSFET Features: Rugged poly-Si gate Lowest ON-resistance in the industry Avalanche rated

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History: LNND04R120 | VSE003N04MSC-G | P4004ED | SSM6K06FU | OSG65R900AF | 2N7002-G

 

 
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