SFF50N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF50N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 190 nC
Tiempo de subida (tr): 38 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 800 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF50N20
SFF50N20 Datasheet (PDF)
8.1. Size:113K ssdi
sff50n30m sff50n30z.pdf
sff50n30m sff50n30z.pdf
SFF50N30M Solid State Devices, Inc. SFF50N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 50 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF50N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
