SFF50N30Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF50N30Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254Z
Búsqueda de reemplazo de SFF50N30Z MOSFET
SFF50N30Z Datasheet (PDF)
sff50n30m sff50n30z.pdf

SFF50N30M Solid State Devices, Inc. SFF50N30Z 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com DESIGNERS DATA SHEET 50 AMP , 300 Volts, 50 m Part Number / Ordering Information 1/ Avalanche Rated N-channel SFF50N30 ___ ___ ___ Screening 2/ MOSFET __ = Not Screened
Otros transistores... SFF450M , SFF450Z , SFF4N60 , SFF50N20 , SFF50N20B , SFF50N20N , SFF50N20P , SFF50N30M , AO4468 , SFF60P05M , SFF60P05MDB , SFF60P05MUB , SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB , SFF6N100S1 , SFF7002KA2GW .
History: GSM4896 | STD2N80K5 | R6030KNX | SWHA7N65M | NCE14P40K | AP65SL099DR
History: GSM4896 | STD2N80K5 | R6030KNX | SWHA7N65M | NCE14P40K | AP65SL099DR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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