SFF6N100S1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF6N100S1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: MILPACK

 Búsqueda de reemplazo de SFF6N100S1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFF6N100S1 datasheet

 ..1. Size:138K  ssdi
sff6n100s1.pdf pdf_icon

SFF6N100S1

Otros transistores... SFF50N30M, SFF50N30Z, SFF60P05M, SFF60P05MDB, SFF60P05MUB, SFF60P05Z, SFF60P05ZDB, SFF60P05ZUB, IRF840, SFF7002KA2GW, SFF70N04S, SFF70N10M, SFF70N10Z, SFF730, SFF740, SFF75N05M, SFF75N05Z