SFF6N100S1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF6N100S1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: MILPACK
SFF6N100S1 Datasheet (PDF)
Otros transistores... SFF50N30M , SFF50N30Z , SFF60P05M , SFF60P05MDB , SFF60P05MUB , SFF60P05Z , SFF60P05ZDB , SFF60P05ZUB , IRF840 , SFF7002KA2GW , SFF70N04S , SFF70N10M , SFF70N10Z , SFF730 , SFF740 , SFF75N05M , SFF75N05Z .
History: QS8J11
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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