SFF6N100S1 Todos los transistores

 

SFF6N100S1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF6N100S1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: MILPACK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SFF6N100S1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ssdi
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SFF6N100S1

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History: AUIRF1404Z | SVS11N65SD2TR | CS5630 | SMK0850F | VMM85-02F | STF12N50U

 

 
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