SFF80N20P Todos los transistores

 

SFF80N20P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SFF80N20P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-259

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF80N20P

 

SFF80N20P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ssdi
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SFF80N20P
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SFF80N20 Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 80 AMP , 200 Volts, 25 m DESIGNERS DATA SHEET Avalanche Rated N-channel Part Number / Ordering Information 1/ SFF80N20 ___ ___ ___ MOSFET Screening 2/ __ = Not Screened TX

 9.1. Size:144K  ssdi
sff801r2.pdf

SFF80N20P
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