SFF9140-28 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF9140-28
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: 28PIN-CLCC
Búsqueda de reemplazo de SFF9140-28 MOSFET
SFF9140-28 Datasheet (PDF)
sff9140.pdf
SFF9140Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -13.2 A Improved Gate Charge 175oC Operating TemperatureTO-3PF Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source
Otros transistores... SFF85N06M , SFF85N06Z , SFF9130 , SFF9130-28D , SFF9130J , SFF9130M , SFF9130Z , SIS415DNT , 5N60 , SFF9140C , SFF9140J , SFF9140M , SFF9140Z , SFF9230M , SFF9230Z , RDX045N60FU6 , SFF9240-28 .
History: OSG55R108FZF | GP2M010A065X | IRF6628 | HM3N80
History: OSG55R108FZF | GP2M010A065X | IRF6628 | HM3N80
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h