SFF9140M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFF9140M  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO-254

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SFF9140M datasheet

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SFF9140M

SFF9140 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -13.2 A Improved Gate Charge 175oC Operating Temperature TO-3PF Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) 0.161 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source

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SFF9140M

SFF9140J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -18 AMPS Designer s Data Sheet -100 VOLTS 0.20 FEATURES Rugged Construction with Poly Silicon Gate P-CHANNEL Low RDS(on) and High Transconductance POWER MOSFET Excellent High Temperature S

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