SFF9140M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFF9140M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SFF9140M
SFF9140M Datasheet (PDF)
sff9140.pdf
SFF9140Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -13.2 A Improved Gate Charge 175oC Operating TemperatureTO-3PF Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -100V Lower RDS(ON) : 0.161 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. Source
sff9140j.pdf
SFF9140J Solid State Devices, Inc. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com -18 AMPS Designers Data Sheet -100 VOLTS 0.20 FEATURES: Rugged Construction with Poly Silicon Gate P-CHANNEL Low RDS(on) and High Transconductance POWER MOSFET Excellent High Temperature S
sff914028.pdf
SENSITRON SHD226408 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 472, REV A HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL DESCRIPTION: 1000 VOLT, 3.8 OHM MOSFET IN A HERMETIC TO-257 PACKAGE. MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ID - - 3.9 Amps CONTINUOUS DRAIN CURRENT @ TC
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Liste
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