SFFC50Z Datasheet. Equivalente

SFFC50Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFFC50Z  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO254Z

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros