SFP13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFP13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 195 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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SFP13N50 Datasheet (PDF)
sfp13n50.pdf
SFP13N50SFP13N50SFP13N50SFP13N50Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 13A,500V, R (Max0.46)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 43nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produce
sfp135n200c3 sfb132n200c3.pdf
SFP135N200C3,SFB132N200C3ENGN-MOSFET 200V, 11.3m, 95AFeatures Product Summary N-channel, normal levelVDS 200V Enhanced avalanche ruggednessRDS(on) 11.3m Maximum 175C junction temperatureID 95A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested DC/DC and AC/DC converters Brushed and BLDC Motor drive systems Battery powered systemsSFP135N2
sfp133n150ac2 sfb130n150ac2.pdf
SFP133N150AC2, SFB130N150AC2 N-MOSFET 150V, 12.5m, 120AFeatures Product Summary Enhancement Mode VDS150V Very Low On-Resistance RDS(on)12.5m Fast Switching ID 120A100% DVDS TestedApplications100% Avalanche Tested Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche Test
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Liste
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